參數(shù)資料
型號： MPS2222A
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTORS (NPN)
中文描述： 小信號晶體管（NPN）的
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： MPS2222A
MPS2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
at I
C
= 10
m
A, I
E
= 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(1)
at I
C
= 10 mA, I
B
= 0
V
(BR)CBO
75
D
Volts
V
(BR)CEO
40
D
Volts
Emitter-Base Breakdown Voltage
at I
E
= 10
m
A, I
C
= 0
Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
at I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
at I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
(1)
at I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
at I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
V
(BR)EBO
6.0
D
Volts
V
CEsat
V
CEsat
0.6
D
0.3
1.0
Volts
Volts
V
BEsat
V
BEsat
D
D
1.2
2.0
Volts
Volts
Collector Cutoff Current
at V
EB
= 3 V, V
CE
= 60 V
I
CEX
D
10
nA
Collector Cutoff Current
at V
CB
= 60 V, I
E
= 0
at V
CB
= 50 V, I
E
= 0, T
A
=125
°
C
I
CBO
D
m
A
0.01
10
Emitter Cutoff Current
at V
EB
= 3 V, I
C
= 0
I
EBO
D
100
nA
Base Cutoff Current
at V
CE
= 60 V, V
EB
= 3.0 V
I
BL
D
20
nA
DC Current Gain
at V
CE
= 10 V, I
C
= 0.1 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA, T
A
=-55
°
C
at V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
(1)
at V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
(1)
at V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
(1)
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
35
50
75
35
100
50
40
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
300
D
D
Input Impedance
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA, f = 1 kHz
h
ie
2.0
0.25
8.0
1.25
k
W
Voltage Feedback Ratio
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA, f = 1 kHz
h
re
D
8 ￥ 10
-4
4 ￥ 10
-4
D
Current Gain-Bandwidth Product
at V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA, f = 100 MHz
f
T
300
D
MHz
Output Capacitance
at V
CB
= 10 V, f = 1 kHz, I
E
=0
C
OBO
D
8.0
pF
Input Capacitance
at V
EB
= 0.5 V, f = 1 kHz, I
C
=0
C
IBO
D
25
pF
NOTES
(1) Pulse test: Pulse width 2 300
m
s - Duty cycle 2 2%
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PDF描述
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MPS2222ACRLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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