參數(shù)資料
型號： MPS-302201-87
廠商： MICROWAVE TECHNOLOGY INC
元件分類： 放大器
英文描述： 100 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： CERAMIC, HERMETIC, 8 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 428K
代理商： MPS-302201-87
MPS-302201-87
100 to 3000 MHz Variable Gain Amplifier
The MPS-302201-87 is an internally matched GaAs FET amplifier in a gold/
ceramic hermetically sealed package. It is ideal for digital communications
applications where excellent gain linearity and high efficiency at 5 Volt bias is
required. The device may be directly soldered to a 50 ohm microstrip circuit
without additional matching elements. Independent biasing of the gate allows
external gain control or the amplifier may be operated with no gate bias.
Gain & NF vs. Frequency
0
600
1200
1800
2400
3000
Frequency (MHz)
Gain
(dB)
High IP3 +35 dBm Typcal
High P1dB +22 dBm Typical
+5 Volt Bias
Variable Gain
30% High Power Added
Efficiency
Features
Specifications
Electrical at 25 C, Vdd= 5.0 V, Zo= 50
Symbol
Parameter
Min.
Typical
Max
Unit
Freq
SSG
P1dB
IP3
VSWR
GOF
GOT
dd
PAE
NF
Frequency Range
Small Signal Gain
P out at 1 dB Compression
Third-order Intercept
Input VSWR
Gain Variation over Freq.
Gain Variation over Temp.
DC Current
Power Added Efficiency
Noise Figure(>500MHz/<500MHz)
100
10.5
20.5
11.5
22.0
35.0
1.6:1
+/- 0.5
-.008
90
30
3.5/4.5
3000
2.5:1
+/- 0.8
160
5.0/6.5
MHz
dB
dBm
dB
dB/ C
mA
%
dB
Power Output at P1dB
25
23
21
P1
(dBm)
0
600
1200
Frequency (MHz)
Absolute Maximum Ratings
Maximum Bias Voltage
Maximum Continuous RF Input Power
Maximum Peak Input Power
Maximum Case Operating Temperature
Maximum Storage Temperature
6.0 V
200 mW
300mW
+85 C
-65 C to +150 C
www.mwtinc.com
Email: info@mwtinc.com
4268 Solar Way Fremont California 94538 Phone: (510) 651-6700 Fax: (510) 651-2208
1800
2400
3000
3
4
5
NF
GAIN
11
12
13
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