參數(shù)資料
型號： MPQ2906
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
封裝： PLASTIC, DIP-14
文件頁數(shù)： 23/36頁
文件大小： 374K
代理商： MPQ2906
MPQ2906 MPQ2907 MPQ2907A
2–476
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. Frequency Effects
Figure 7. Source Resistance Effects
1.0
2.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0
100
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–3.0
20
0.5
2.0
0.1
f, FREQUENCY (kHz)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
RS, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
10
6.0
4.0
2.0
0
1.0
f = 1.0 kHz
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
“ON”
VOL
TAGE
(VOL
TS)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
10
5.0
20
10
20
7.0
100
200
50
500
2.0
5.0
10
50
200
+2.0
+1.0
0
–1.0
–2.0
qVC FOR VCE(sat)
+25
°C
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
30
70
300
5.0
3.0
0.7
TJ = +175°C
–55
°C
500
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
1.0
100
0.5
20
2.0
5.0
10
50
200
500
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
0.2
50
100
6.0
8.0
IC = 10 mA
0.5
2.0
0.1
1.0
10
5.0
20
0.2
50
100
IC = 10 mA
RS = 4.7 kW
IC = 100 mA
RS = 1.2 kW
100
mA
1.0 mA
qVB FOR VBE
+25
°C TO +175°C
–55
°C TO +25°C
VCE = 10 V
VCE = 1.0 V
NOISE FIGURE
(VCE = 10 V, TA = 25°C)
VCE = 10 Vdc
TA = 25°C
VCE = 10 Vdc
TA = 25°C
IC = 1.0 mA
RS = 0.7 kW
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +175°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPQ2907 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ3467 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
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