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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPF102 |
| 廠商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | 0.012 X 0.013 INCH, DIE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1774K |
| 代理商： | MPF102 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MFE823 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MFE2000 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MFE2005 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MPF109 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MFR18060BLR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPF102_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MPF102_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:JFET VHF Amplifier |
| MPF102_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MPF102_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MPF102_D74Z_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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