參數(shù)資料
型號(hào)： MPC8545EVTATGB
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, 1200 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA783
封裝： 29 X 29 MM, 1 MM PITCH, FLIP CHIP, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-783
文件頁(yè)數(shù)： 46/142頁(yè)
文件大小： 1504K
代理商： MPC8545EVTATGB
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MPC8548E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 5
14
Freescale Semiconductor
Power Characteristics
NOTE
In order to guarantee MCKE low during power-up, the above sequencing for
GVDD is required. If there is no concern about any of the DDR signals being
in an indeterminate state during power-up, then the sequencing for GVDD is
not required.
NOTE
From a system standpoint, if any of the I/O power supplies ramp prior to the
VDD core supply, the I/Os associated with that I/O supply may drive a logic
one or zero during power-up, and extra current may be drawn by the device.
3
Power Characteristics
The estimated typical power dissipation for the core complex bus (CCB) versus the core frequency for this
family of PowerQUICC III devices is shown in Table 4.
4
Input Clocks
4.1
System Clock Timing
Table 5 provides the system clock (SYSCLK) AC timing specifications for the MPC8548E.
Table 4. MPC8548E Power Dissipation
CCB Frequency1
Core Frequency
SLEEP2
Typical-653
Typical-1054
Maximum5
Unit
400
800
2.7
4.6
7.5
8.1
W
1000
2.7
5.0
7.9
8.5
W
1200
2.7
5.4
8.3
8.9
500
1500
11.5
13.6
16.5
18.6
W
533
1333
6.2
7.9
10.8
12.8
W
Notes:
1. CCB frequency is the SoC platform frequency, which corresponds to the DDR data rate.
2. SLEEP is based on VDD = 1.1 V, Tj = 65°C.
3. Typical-65 is based on VDD = 1.1 V, Tj = 65°C, running Dhrystone.
4. Typical-105 is based on VDD = 1.1 V, Tj = 105°C, running Dhrystone.
5. Maximum is based on VDD = 1.1 V, Tj = 105°C, running a smoke test.
Table 5. SYSCLK AC Timing Specifications
At recommended operating conditions (see Table 2) with OVDD = 3.3 V ± 165 mV.
Parameter/Condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
SYSCLK frequency
fSYSCLK
16
—
133
MHz
1, 6, 7, 8
SYSCLK cycle time
tSYSCLK
7.5
—
60
ns
6, 7, 8
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PDF描述
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