參數(shù)資料
型號(hào)： MPC5200BV400
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 14/72頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MPU 32BIT 400MHZ 272-PBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： MPC52xx
核心處理器： 603e G2 LE
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，J1850，SPI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： AC'97，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 56
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 外部程序存儲(chǔ)器
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.42 V ~ 1.58 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 272-BBGA
包裝： 托盤(pán)
MPC5200B Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
21
1.3.6.4
Memory Interface Timing-DDR SDRAM Write Command
Figure 8. DDR SDRAM Memory Write Timing
1.3.7
PCI
The PCI interface on the MPC5200B is designed to PCI Version 2.2 and supports 33 MHz and 66 MHz PCI operations. See the
PCI Local Bus Specification; the component section specifies the electrical and timing parameters for PCI components with the
intent that components connect directly together whether on the planar or an expansion board, without any external buffers or
other “glue logic.” Parameters apply at the package pins, not at expansion board edge connectors.
The MPC5200B is always the source of the PCI CLK. The clock waveform must be delivered to each 33 MHz or 66 MHz PCI
component in the system. Figure 9 shows the clock waveform and required measurement points for 3.3 V signaling
environments. Table 22 summarizes the clock specifications.
Table 21. DDR SDRAM Memory Write Timing
Sym
Description
Min
Max
Units
SpecID
tmem_clk
MEM_CLK period
7.5
—
ns
A5.20
tDQSS
Delay from write command to first
rising edge of MDQS
—tmem_clk + 0.4
ns
A5.21
datavalid
MDQ valid before rising edge of
MDQS
1.0
—
ns
A5.22
datahold
MDQ valid after rising edge of
MDQS
1.0
—
ns
A5.23
MEM_CLK
Control Signals
MDQ (Data)
MEM_CLK
MDQS (Data Strobe)
NOTE: Control Signals signals are composed of RAS, CAS, MEM_WE, MEM_CS, MEM_CS1, and CLK_EN
Write
tDQSS
Write
datavalid
datahold
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PDF描述
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參數(shù)描述
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