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參數(shù)資料
| 型號： | MMUN2213 |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管NPN硅 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 388K |
| 代理商： | MMUN2213 |
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMUN2211
Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2212
C
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current vs. Input Voltage
100
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Input V oltage vs. Output Current
MMUN2213
100
10
1
0.1
10
20
30
40
50
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOL TAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
lE = 0 A
TA = 25
VO = 5 V
VO = 0.2 V
I
V
TA = -25
75
25
TA = -25
75
25
V
(
Figure 12. VCE(sat) vs. IC
0
20
40
60
80
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IC/IB = 10
TA = -25
75
25
Figure 13. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
101
100
VCE = 10 V
h
TA = 75
-25
25
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MMUN2213LT1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2213LT1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2213LT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMUN2213RLT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
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