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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMUN2212LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network(NPN型偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | MMUN2212LT1 |
MMUN2211LT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2212LT1
Figure 7. V
CE(sat)
vs. I
C
0.001
0.01
0.1
1
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
I
C
/I
B
= 10
V
C
M
(
T
A
= 25
°
C
25
°
C
75
°
C
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA
)
100
10
1
100
V
CE
= 10 V
h
F
D
T
A
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
o
C
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current vs. Input Voltage
100
0
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
0.1
10
20
30
40
50
Figure 11. Input Voltage vs. Output Current
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
l
E
= 0 A
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
I
C
C
V
i
I
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
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PDF描述 |
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| MMUN2212LT3 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2212LT3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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