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參數資料
| 型號： | MMSZ9V1ET3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MMSZ9V1ET3G |
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
VZ1 (V)
ZZT1
(Note 9)
VZ2 (V)
ZZT2
(Note 9)
Max Reverse
Leakage Current
@ IZT1 = 2 mA
@ IZT2 = 0.1 mA
@ IZT2 =
0.5 mA
IR @ VR
Min
Nom
Max
W
Min
Max
W
mA
V
MMSZ27ET1, G
CN8
25.65
27
28.35
80
25
28.9
300
0.05
18.9
MMSZ30ET1
CN9
28.50
30
31.50
80
27.8
32
300
0.05
21
MMSZ33ET1
CP1
31.35
33
34.65
80
30.8
35
325
0.05
23.1
MMSZ36ET1
CP2
34.20
36
37.80
90
33.8
38
350
0.05
25.2
MMSZ39ET1
CP3
37.05
39
40.95
130
36.7
41
350
0.05
27.3
MMSZ43ET1, G
CP4
40.85
43
45.15
150
39.7
46
375
0.05
30.1
MMSZ47ET1
CP5
44.65
47
49.35
170
43.7
50
375
0.05
32.9
MMSZ51ET1
CP6
48.45
51
53.55
180
47.6
54
400
0.05
35.7
MMSZ56ET1
CP7
53.20
56
58.80
200
51.5
60
425
0.05
39.2
7. The type numbers shown have a standard tolerance of
±5% on the nominal Zener Voltage.
8. Tolerance and Voltage Designation: Zener Voltage (VZ) is measured with the Zener Current applied for PW = 1 ms.
9. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and
best overall value.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ8V2ET1G | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ22ET3G | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ22ET3 | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ27ET3G | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ3V3ET3G | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMSZ9V1T1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ9V1T1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ9V1T3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMT05A230T3 | 功能描述:硅對稱二端開關元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| MMT05A230T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
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