參數(shù)資料
型號： MMSZ5230BS-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 4.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： MMSZ5230BS-13
DS31038 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMSZ5221BS - MMSZ5259BS
www.diodes.com
0
10
20
30
0
I
,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 6 Zener Breakdown Characteristics
10
20
30
40
T = 25°C
j
Test current I
Z
10
12
18
22
27
33
36
15
39
Nominal Zener Voltage
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
6
7
89
10
I
,
ZENER
C
URRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 5 Zener Breakdown Characteristics
T = 25°C
j
5V6
6V8
8V2
Test Current I
Z
20mA
1
10
100
1
10
100
P
,
PEAK
SURGE
P
O
WER
(W)
PK
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
1000
1
10
100
1000
110
100
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 3 Zener Impedance vs. Zener Voltage
I = 1.0mA
Z
1
10
100
1000
1
10
100
C,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 2 Typical Capacitance
0V BIAS
f = 1MHz
0
0.1
0.2
0.3
0.4
25
0
50
75
100
125
150
P,
P
O
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N(
W
)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MMSZ5230BT1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ5230BT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ5230BT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode
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