參數資料
型號: MMSTA13-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 3/3頁
文件大?。?/td> 70K
代理商: MMSTA13-13
DS30165 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMSTA13/MMSTA14
www.diodes.com
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
O
R
T
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.45
0.40
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.10
1.05
1.00
I
C
I
B
= 1000
100
1000
100000
1000000
10000
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
A
T = 25°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
VOL
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.3
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.6
1.5
1.4
V= 5V
CE
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
V= 5V
CE
相關PDF資料
PDF描述
MMSTA14-13 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA42-13 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA42 300 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA56-13 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA64-13 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
MMSTA13-7 功能描述:達林頓晶體管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMSTA13-7-F 功能描述:達林頓晶體管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMSTA13T146 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMSTA14 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMSTA14-7 功能描述:達林頓晶體管 NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel