參數(shù)資料
型號： MMST5551
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 606K
代理商： MMST5551
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= 1.0mAdc, IB= 0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= 100Adc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= 10Adc, IC= 0)
Collector Cutoff Current (VCB= 120Vdc, IE= 0)
Emitter Cutoff Current (VEB= 3Vdc, IC= 0)
DC Current Gain (IC= 1mAdc, VCE= 5Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1mAdc)
(IC= -10mAdc, VCE= 5Vdc)
(IC= 50mAdc, VCE= 5Vdc)
V(BR)CEO
160
-
Vdc
V(BR)CBO
180
-
Vdc
V(BR)EBO
5
-
Vdc
ICBO
IEBO
-
50
Vdc
nAdc
fT
100
hFE
80
250
-
30
-
VCE(sat)
-
0.15
-
0.2
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
(IC= 50mAdc, IB= 5mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1mAdc)
Current-Gain-Bandwidth Product (IC= 10mAdc, VCE= 10Vdc, f= 100MHz)
pF
MHz
300
-
6
-
8
dB
NF
Cob
Output Capacitance (VCB= 10Vdc, IE= 0, f= 1.0MHz)
Noise figure (IC= 0.2mAdc, VCE= 5Vdc, f= 1.0kHz,Rg=10)
Vdc
VBE(sat)
-
1
-
1
(IC= 50mAdc, IB= 5mAdc)
RECTRON
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PDF描述
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