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參數(shù)資料
| 型號： | MMST4401 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MMST4401 |
UMT4401 / SST4401 / MMST4401 / 2N4401
Transistors
!
!Electrical characteristic curves
0
50
100
10
0
5
IB=0
A
100
200
400
500
600
300
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
Ic
(mA)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE(V)
Fig.1 Grounded emitter output
characteristics
0.1
10
1.0
100
1000
100
1000
10
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
VCE
=10V
1V
Fig.3 DC current gain vs. collector current(
Ι)
1.0
10
100
1000
0.2
0.3
0.1
0
COLLECTOR
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
IC / IB
=10
Fig.2 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.1
10
1.0
100
1000
100
1000
10
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : Ic(
mA)
Ta
=125°C
VCE
=10V
25
°C
55
°C
Fig.4 DC current gain vs. collector current(
ΙΙ)
0.1
10
1.0
100
1000
100
1000
10
AC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : Ic(
mA)
Ta
=25°C
VCE
=10V
f
=1kHz
Fig.5 AC current gain vs. collector current
1.0
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=25°C
IC / IB
=10
Fig.6 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST4403-13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5088T246 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5089T247 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5101T246 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMST4401_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST4401_11 | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Small Signal Transistors |
| MMST4401_2 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST4401-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4401-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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