參數(shù)資料
型號: MMST3904
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 90K
代理商: MMST3904
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
Transistors
0.01
1.0
0.1
10
100
10
500
5
AC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.5 AC current gain vs. collector current
Ta=25
°C
VCE=5V
f=1kHz
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.6 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta=25
°C
IC / IB=10
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
BASE
EMITTER
VOLTAGE
:
V
BE(ON)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.7 Grounded emitter propagation
characteristics
Ta=25
°C
VCE=5V
1.0
10
100
1000
10
TURN
ON
TIME
:
ton
(
ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.8 Turn-on time vs. collector
current
Ta=25
°C
IC / IB=10
VCC=3V
15V
40V
1.0
10
100
1000
10
RISE
TIME
:
t
r(
ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.9 Rise time vs. collector
current
Ta=25
°C
IC / IB=10
VCC=40V
Ta=25
°C
IC=10IB1=10IB2
1.0
10
100
1000
10
STORAGE
TIME
:
ts
(
ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.10 Storage time vs. collector
current
VCE=3V
40V
15V
1.0
10
100
1000
10
FALL
TIME
:
tf
(
ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.11 Fall time vs. collector
current
Ta=25
°C
VCC=40V
IC/IB=10
0.1
1.0
10
100
10
50
0.5
1
CAPACITANCE
(
pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
Fig.12 Input / output capacitance
vs. voltage
Ta=25
°C
f=1MHz
Cib
Cob
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PDF描述
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MMST3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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