參數(shù)資料
型號： MMPQ6502D84Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： MMPQ6502D84Z
MMPQ6502
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IB = 0
30
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 50 V, IE = 0
30
nA
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 3.0 V, IC = 0
30
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 10 V, IC = 1.0 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 150 mA
VCE = 10 V, IC = 300 mA
50
75
100
30
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 300 mA, IB = 30 mA
0.4
1.4
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 300 mA, IB = 30 mA
1.3
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz
8.0
pF
Cib
Input Capacitance
VBE = 2.0 V, f = 1.0 MHz
30
pF
fT
Current-Gain Bandwidth Product
IC = 50 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
200
MHz
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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MMPQ6700_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ6700R1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ6842 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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