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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMPQ3906D84Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | MMPQ3906D84Z |
4
Typical Characteristics (continued)
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
I
N
PU
T
I
M
PED
ANC
E
(k
)
V
= 10 V
CE
C
ie
f = 1.0 kHz
Current Gain
0.1
1
10
20
50
100
200
500
1000
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-C
U
R
E
N
T
G
A
IN
V
= 10 V
CE
C
fe
f = 1.0 kHz
Out put Admitt ance
0.1
1
10
100
1000
I - COLLECTOR CURRENT ( mA)
h
-O
U
TP
U
T
A
D
M
ITT
A
N
C
E
(
m
h
o
s
)
V
= 10 V
CE
C
oe
f = 1.0 kHz
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLE CTOR CURRENT (mA)
h
-
V
O
LT
A
G
E
F
E
D
B
A
C
K
R
A
T
IO
(
x
1
0
)
C
re
_
4
FFB3906
/
FMB3906
/
MMPQ3906
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ6502D84Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ6502L99Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ6502S62Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ6502L86Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ6502LEADFREE | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMPQ3906R1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906R2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ6502 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MMPQ6700 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ6700_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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