參數(shù)資料
型號(hào)： MMPQ3904L86Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： MMPQ3904L86Z
4
Typical Characteristics (continued)
Storage Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
S
T
O
R
A
G
E
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
S
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Fall Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
F
A
L
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
V
= 40V
CC
f
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Current Gain
0.1
1
10
100
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-CUR
R
E
NT
GA
IN
V
= 10 V
CE
C
fe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
IN
PU
T
IM
PED
AN
C
E
(
k
)
V
= 10 V
CE
C
ie
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
2
3
4
5
7
10
I - COLLE CTOR CURRENT (mA)
h
-
V
O
L
T
A
G
E
FE
E
D
B
A
C
K
R
A
T
IO
(
x
1
0
)
V
= 10 V
CE
C
re
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
_
4
Output Admitt ance
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-O
U
TP
U
T
A
D
M
ITT
A
N
C
E
(
m
hos
)
V
= 10 V
CE
C
oe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
FFB3904
/
FMB3904
/
MMPQ3904
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMPQ3904LEADFREE 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3904R1 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3906R2 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SO-16
MMPQ3906S62Z 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3906L99Z 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMPQ3904R1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3904R2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906R1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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