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參數資料
| 型號： | MMPQ3904G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 751B-05, SOIC-16 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMPQ3904G |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
December, 2002 Rev. 3
Publication Order Number:
MMPQ3904/D
1109
MMPQ3904
Preferred Device
Quad Amplifier/Switch
Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Collector Base Voltage
VCB
60
Vdc
Emitter Base Voltage
VEB
6.0
Vdc
Collector Current Continuous
IC
200
mAdc
Each
Transistor
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
200
3.2
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.66
5.3
Watts
mW/
°C
Four
Transistors
Equal Power
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
800
6.4
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.92
15.4
Watts
mW/
°C
Operating and Storage
Junction Temperature Range
TJ, Tstg
55 to +150
°C
SO16
CASE 751B
STYLE 4
MARKING DIAGRAM
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMPQ3904
SO16
48 Units/Rail
MMPQ3904
AWLYWW
MMPQ3904 = Specific Device Code
A
= Assembly Location
WL
= Wafer Lot
Y
= Year
WW
= Work Week
http://onsemi.com
1
16
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4
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6
7
8
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15
16
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ3904R1 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904R2 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904R1G | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904R2G | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMPQ3904R1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3904R2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906R1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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