參數(shù)資料
型號： MMPQ3467R1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 751B-05, SOP-16
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： MMPQ3467R1
MMPQ3467
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
20
—
CollectorEmitter Saturation Voltage(1)
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat)
—
0.23
0.5
Vdc
Base Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
VBE(sat)
—
0.9
1.2
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
—
190
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
10
—
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cib
—
55
—
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
TurnOn Time
(IC = 500 mAdc, IB1 = 50 mAdc)
ton
—
20
—
ns
TurnOff Time
(IC = 500 mAdc, IB1 = IB2 = 50 mAdc)
toff
—
60
—
ns
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
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PDF描述
MMPQ3467 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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