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參數(shù)資料
| 型號： | MMPQ2907AS62Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | MMPQ2907AS62Z |
4
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
YPI
CA
L
PU
LSED
C
URR
ENT
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
50
0
4
8
12
16
20
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
A
P
A
CI
T
A
NC
E
(
p
F
)
C ob
C ib
Collect or-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(n
A
)
A
CBO
°
V
= 35V
CB
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
110
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
LL
E
C
TO
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
LT
A
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
110
100
500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
BE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base Emitter ON Voltage vs
Collect or Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(O
N)
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
FFB2907A
/
FMB2907A
/
MMPQ2907A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ2907ALEADFREE | 600 mA, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2907D84Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2907L99Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2907S62Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907AS62Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMPQ3467 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3725 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Switching Transistor |
| MMPQ3725 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMPQ3904 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3904_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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