型號(hào): | MMPQ2369/L86Z |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 200 mA, 15 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 6/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 186K |
代理商: | MMPQ2369/L86Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBT2369A/D87Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMPQ2369/L99Z | 200 mA, 15 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2369A | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2369AL99Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ2369D84Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MMPQ2369R WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMPQ2369R2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ2907 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ2907_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |