參數(shù)資料
型號(hào)： MMPQ2222
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 46K
代理商： MMPQ2222
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978)-794-1666 / (978) Fax: (978) 689-0803
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MMPQ2222, MMPQ2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
ON CHARACTERISTICS (con’t)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc
MMPQ2222
MMPQ2222A
IC = 300 mAdc, IB = 30 mAdc
MMPQ2222
IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc
MMPQ2222A
VCE(sat)
-
0.4
0.3
1.6
1.0
Vdc
Base-Emitter Saturation Voltage
(1)
IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc
MMPQ2222
MMPQ2222A
IC = 300 mAdc, IB = 30 mAdc
MMPQ2222
IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc
MMPQ2222A
VBE(sat)
-
1.3
1.2
2.6
2.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current-Gain – Bandwidth Product
(1)
IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz
fT
-
350
-
MHz
Output Capacitance
VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz
Cobo
-4.5
-
pF
Input Capacitance
VBE = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 100 kHz
Cibo
-17
-
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Time
VCC = 30 Vdc; VBE(off) = 0.5 Vdc, IC = 150 mAdc; IB1= 15 mAdc
ton
-25
-
ηs
Turn-Off Time
VCC = 30 Vdc; IC = 150 mAdc; IB1 = IB2 = 15 mAdc
toff
-
250
-
ηs
(1) Pulse Test: Pulse Width
≤ 300s, Duty Cycle =2.0%
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PDF描述
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MMPQ2222A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMPQ2222A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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