參數(shù)資料
型號(hào)： MMFT2955ET1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
封裝： LEAD FREE, CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 203K
代理商： MMFT2955ET1G
MMFT2955E
http://onsemi.com
5
RG
t
VDS
L
IL
VDD
tP
BVDSS
VDD
IL(t)
t, (TIME)
Figure 11. Commutating Safe Operating Area
Test Circuit
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Test Circuit
+
+
Figure 13. Unclamped Inductive Switching
Waveforms
VR
VGS
IFM
20 V
RGS
DUT
IS
Li
VR = 80% OF RATED VDSS
VdsL = Vf + Li dlS/dt
VDS
Figure 14. Capacitance Variation with Voltage
1000
800
200
400
600
0
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Ciss
1200
1400
1600
1800
Crss
Coss
Ciss
Coss
Crss
VGS
15
10
5
0
5
10
15
20
VDS
VGS
VDS
TJ = 25°C
f = 1 MHz
SAME
DEVICETY
AS DUT
Vin
+18V
VDD
10V
100k
0.1
mF
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
47k
15V
100k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH ≤ 100 ms, DUTY CYCLE ≤ 10%.
1mA
47k
Figure 15. Gate Charge versus GateToSource Voltage
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
10
3
7.5
13
20
V
GS
,GA
TET
OSOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TJ = 25°C
VDS = 48 V
ID = 1.2 A
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PDF描述
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