參數(shù)資料
型號(hào)： MMFT1N10ET1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： MMFT1N10ET1
MMFT1N10E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 14. Capacitance Variation With Voltage
SAME
DEVICE TYPE
AS DUT
Vin
+18 V
VDD
10 V
100 k
0.1
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
47 k
15 V
100 k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH ≤ 100 s, DUTY CYCLE ≤ 10%.
1 mA
47 k
Figure 15. Gate Charge versus Gate–To–Source Voltage
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Crss
Ciss
Coss
1400
20
1200
1000
800
600
400
200
0
15
10
5
0
5
10
15
20
VGS
VDS
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
0
6
4
2
0
2
4
6
8
V
GS
,GA
TE–T
O–SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Ciss
Crss
TJ = 25°C
f = 1 MHz
10
TJ = 25°C
ID = 1 A
VGS = 10 V
VDS = 50 V
VDS = 80 V
Coss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT2955ET3 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET1 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET1G 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2N25EG 2000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
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參數(shù)描述
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MMFT2406T1G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
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