參數(shù)資料
型號(hào)： MMBZ5258BT/R7
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 36 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： MMBZ5258BT/R7
PAGE . 1
June 11.2010-REV.00
MMBZ5221B~MMBZ5262B
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 51 Volts
POWER
410 mWatts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
.120(3.04)
.079(2.00)
.070(1.80)
.004(0.10) MAX.
.006(0.15)MIN.
.008(0.20)
.003(0.08)
NOTES:
A. Mounted on 100mm2(1mm thick) copper areas.
FEATURES
Planar Die construction
410mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V~51V
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity :See Diagram Below
Apporx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
Mounting Position : Any
Parameter
Symbol
Value
Units
Maximum Power Dissipation (Notes A) at 25OC
PD
410
mW
Operating Junction and StorageTemperature Range
TJ
-55 to +150
OC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMD-0803 SILICON, STEP RECOVERY DIODE
MMD-840-C11 SILICON, STEP RECOVERY DIODE
MMQA27VT3 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MMQA33VT3 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MMSZ3V9BW 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
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MMBZ5258BTS-7-F 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 36V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5258B-V-GS08 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5258B-V-GS08/BKN 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER-DIODE, 0.3W, 5%, SOT-23, CUT TAPE
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