參數(shù)資料
型號： MMBZ5253C-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 25 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 97K
代理商： MMBZ5253C-GS18
www.vishay.com
4
Document Number 85772
Rev. 1.3, 08-Jul-04
VISHAY
MMBZ5225 to MMBZ5267
Vishay Semiconductors
Package Dimensions in mm (Inches)
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.20(.047)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.098 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.35 (.092)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相關PDF資料
PDF描述
MMBZ5261C-GS08 47 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5261BL 47 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5263BL 56 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5241BL 11 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5264BL 60 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBZ5253C-V-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 25 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5253ELT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 225 W E-RATED ZENER 25V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5254B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 27V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5254B_D87Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 27V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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