型號: | MMBZ5230B-GT1 |
廠商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 94K |
代理商: | MMBZ5230B-GT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBZ5228ELT3G | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MMBZ5236ELT3G | 7.5 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MMBZ5239ELT3G | 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MMBZ5255B-G | 28 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5221B-G | 2.4 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MMBZ5230B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Zener Single 4.7V 5% 300mW T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5230B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Zener Single 4.7V 5% 300mW T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5230BL | 制造商:Motorola 功能描述:5230 MOT'92 IN N4B6D BZX84C5V1 |
MMBZ5230BLT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5230BLT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |