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  • 參數(shù)資料
    型號(hào): MMBTH81LT1
    廠商: ON SEMICONDUCTOR
    元件分類: 小信號(hào)晶體管
    英文描述: UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
    封裝: PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
    文件頁(yè)數(shù): 8/21頁(yè)
    文件大?。?/td> 286K
    代理商: MMBTH81LT1
    Package Outline Dimensions
    8–4
    Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
    PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
    CASE 318–08
    (TO–236AB) SOT–23
    D
    J
    K
    L
    A
    C
    B S
    H
    G
    V
    3
    1
    2
    DIM
    A
    MIN
    MAX
    MIN
    MAX
    MILLIMETERS
    0.1102
    0.1197
    2.80
    3.04
    INCHES
    B
    0.0472
    0.0551
    1.20
    1.40
    C
    0.0350
    0.0440
    0.89
    1.11
    D
    0.0150
    0.0200
    0.37
    0.50
    G
    0.0701
    0.0807
    1.78
    2.04
    H
    0.0005
    0.0040
    0.013
    0.100
    J
    0.0034
    0.0070
    0.085
    0.177
    K
    0.0140
    0.0285
    0.35
    0.69
    L
    0.0350
    0.0401
    0.89
    1.02
    S
    0.0830
    0.1039
    2.10
    2.64
    V
    0.0177
    0.0236
    0.45
    0.60
    NOTES:
    1.
    DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2.
    CONTROLLING DIMENSION: INCH.
    3.
    MAXIUMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
    LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
    THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF
    BASE MATERIAL.
    STYLE 6:
    PIN 1. BASE
    2. EMITTER
    3. COLLECTOR
    STYLE 8:
    PIN 1. ANODE
    2. NO CONNECTION
    3. CATHODE
    STYLE 9:
    PIN 1. ANODE
    2. ANODE
    3. CATHODE
    STYLE 10:
    PIN 1. DRAIN
    2. SOURCE
    3. GATE
    STYLE 11:
    PIN 1. ANODE
    2. CATHODE
    3. CATHODE–ANODE
    STYLE 12:
    PIN 1. CATHODE
    2. CATHODE
    3. ANODE
    STYLE 18:
    PIN 1. NO CONNECTION
    2. CATHODE
    3. ANODE
    STYLE 19:
    PIN 1. CATHODE
    2. ANODE
    3. CATHODE–ANODE
    STYLE 21:
    PIN 1. GATE
    2. SOURCE
    3. DRAIN
    PLASTIC
    S
    G
    H
    D
    C
    B
    L
    A
    1
    3
    2
    J
    K
    DIM
    A
    MIN
    MAX
    MIN
    MAX
    INCHES
    2.70
    3.10
    0.1063
    0.1220
    MILLIMETERS
    B
    1.30
    1.70
    0.0512
    0.0669
    C
    1.00
    1.30
    0.0394
    0.0511
    D
    0.35
    0.50
    0.0138
    0.0196
    G
    1.70
    2.10
    0.0670
    0.0826
    H
    0.013
    0.100
    0.0005
    0.0040
    J
    0.09
    0.18
    0.0034
    0.0070
    K
    0.20
    0.60
    0.0079
    0.0236
    L
    1.25
    1.65
    0.0493
    0.0649
    S
    2.50
    3.00
    0.0985
    0.1181
    NOTES:
    1.
    DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2.
    CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
    CASE 318D–04
    SC–59
    STYLE 3:
    PIN 1. ANODE
    2. ANODE
    3. CATHODE
    STYLE 1:
    PIN 1. EMITTER
    2. BASE
    3. COLLECTOR
    STYLE 2:
    PIN 1. N.C.
    2. ANODE
    3. CATHODE
    STYLE 4:
    PIN 1. N.C.
    2. CATHODE
    3. ANODE
    STYLE 5:
    PIN 1. CATHODE
    2. CATHODE
    3. ANODE
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    PDF描述
    MMBTH81LT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
    MMC2112CCPV33 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
    MMDF2C01HDR2 5.2 A, 20 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
    MMDF2C01HDR2 5.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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    MMBTRA102 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTRA103 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 22/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTRA104 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 47/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTRA105 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 2.2/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2