參數(shù)資料
型號： MMBTH11L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： MMBTH11L99Z
MPSH11
/
MMBTH11
Test Circuits (continued)
1000 pF
0.002
F
4.0-30 pF
1000 pF
V
CC
= 12 V
2.2 K
1/2 W
R.F. Beads
50
Input
50
Output
V
AGC
390
1/2 W
2K
T1
270
1/2 W
T1 - Q3 Toroid 4:1 ratio
8 turns Pri.
2 turns Sec.
} No. 22 wire
FIGURE 2: 45 MHz Power Gain Circuit
200 mHz Output
into 50
RF
in
LO
in
2.0 pF
300 pF
1000 pF
L
1
47 K
245 mHz
Output into
50
V
CE
V
BB
T
1
1.1 pF
20pF
1000 pF
45 mHz Output
into 50
V
CE
= 15 V
FIGURE 3: 200 MHz Conversion Gain Test Circuit
L1 - Ohmite RFC Z235
T1 - Primary 5 turns No. 34 wire 1/4 inch
diameter. Secondary runs No. 34 wire closer
wound over a Q100 core (10.7 mHz). When
terminated onm secondary side with 50
primary measures 1.5 K, -25 pF.
NPN RF Transistor
(continued)
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PDF描述
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MPSH11D26Z VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MMBTH24 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBTH24_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH34 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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