參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA93
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： MMBTA93
MMBTA92 / MMBTA93
MMBTA92 / MMBTA93
PNP
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflchenmontage
PNP
Version 2005-06-21
Dimensions / Mae [mm]
1 = B
2 = E
3 = C
Power dissipation
Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA92
MMBTA93
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
300 V
200 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
- VCBO
300 V
200 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MMBTA92
MMBTA93
- ICB0
–
250 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, - VEB = 3 V
- IEB0
–
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- VCEsat
–
500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- VBEsat
–
900 mV
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.5
max
1.
3
±0
.1
1.1
2.9 ±0.1
0.4
1
2
3
Type
Code
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA94G-AE3-R 300 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10-13 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10L-B-AL3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10G-C-AN3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTH10G-C-AE3-R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA93LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA93LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA94 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述:
MMBTD55T1 制造商:Motorola 功能描述:55 MOT T/R
MMBTF04GWBCA-QME00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MEMORY, SDCARD, CLASS 4, 4GB, Data Rate:4Mbps, Memory Size:4GB, Memory Type:SD C
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