參數(shù)資料
型號： MMBTA63LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 12/22頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： MMBTA63LT3
MMBTA63LT1 MMBTA64LT1
2–411
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
–1.0
2.0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(X1.0
K)
TA = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = –2.0 V
–2.0
–3.0
–5.0
–7.0
–10
–20
–30
–50
–100
–300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
–0.3
–0.5
–0.7
–70
–200
–5.0 V
–10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. “On” Voltage
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
–2.0
0
–0.3
TA = 25°C
VBE(on) @ VCE = –5.0 V
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
IC/IB = 100
–0.5
–1.0
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50
–100 –200 –300
IB, BASE CURRENT (A)
Figure 3. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
–2.0
–0.6
TA = 25°C
IC =
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.1–0.2
–1 –2
–5 –10 –20 –50 –100–200 –500
–0.5
–1K–2K
–10K
–10 mA –50 mA –100 mA –175 mA
–300 mA
10
4.0
3.0
2.0
0.1
Figure 4. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCE = –5.0 V
f = 100 MHz
TA = 25°C
|h
FE
|,HIGH
FREQUENCY
CURRENT
GAIN
1.0
0.4
0.2
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500
–1K
VBE(sat) @ IC/IB = 100
–5K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA64LT3 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA70LT3 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA93LT3 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH24LT1 VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH24LT3 VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA64 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7-F 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*