- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄183326 > MMBTA63D87Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBTA63D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMBTA63D87Z |
MPSA63
/
MMBT
A63
/
PZT
A63
PNP Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high
current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
See MPSA64 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCES
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10
V
IC
Collector Current - Continuous
1.2
A
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA63
*MMBTA63
**PZTA63
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
125
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
PZTA63
B
C
SOT-223
E
MPSA63
C
B
E
TO-92
MMBTA63
C
B
E
SOT-23
Mark: 2U
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
A63, Rev A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA63D75Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63D74Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63D26Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63J05Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA63D27Z | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA63LT1 | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA63LT1G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA64 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA64_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA64-7 | 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。