參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56G-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： MMBTA56G-AE3-R
MMBTA56
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-090,B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-4
V
Collector Current - Continuous
IC
-500
mA
Total Device Dissipation(Note 1)
Derate Above 25℃
PD
350
2.8
mW
mW/℃
Junction Temperature
TJ
+150
℃
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
℃
Note 1. Device mounted on FR-4=1.6×1.6×0.06 in
2. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
THERMAL DATA
PARAMETER
SYMBOL
MAX
UNIT
Thermal Resistance, Junction to Ambient
θJA
357
℃
/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(Note 1)
BVCEO IC=-1.0mA, IB=0
-80
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO IE=-100μA, Ic=0
-4
V
Collector Cutoff Current
ICES
VCE=-60V, IB=0
-0.1
μA
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=-80V, IE=0
-0.1
μA
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
hFE
IC=-10mA, VCE=-1V
IC=-100mA, VCE=-1V
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=-100mA, IB=-10mA
-0.25
V
Base-Emitter on Voltage
VBE(ON) IC=-100mA, VCE=-1V
-1.2
V
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(Note2)
fT
IC=-10mA, VCE=-2V,
f=100MHz
100
MHz
Note 1: Pulse test: PW≤300
μs, Duty Cycle≤2%
2: fT is defined as the frequency at which IhfeI extrapolates to unity.
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PDF描述
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