參數(shù)資料
型號： MMBTA43LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： MMBTA43LT1
Zowie Technology Corporation
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted) (Continued)
H
FE
25
40
40
-
-
-
-
ON CHARACTERISTICS
(3)
V
CE
(sat)
Vdc
DC Current Gain
( I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
=
10 Vdc )
( I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc )
( I
C
= 30 mAdc, V
CE
= 10 Vdc )
Collector-Emitter Saturation Voltage
( I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc )
-
0.5
V
BE
(sat)
Vdc
Base-Emitter Saturation Voltage
( I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc )
-
0.9
f
T
C
cb
50
-
-
4.0
MH
Z
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTIC
pF
Current-Gain-Bandwidth Product
( I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f=100 MH
Z
)
Collector-Base Capacitance
( V
CB
= 20 Vdc, I
E
=0, f=1.0 MH
Z
)
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
(3) Pulse Test : Pulse Width 300 uS, Duty Cycle 2.0%.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA44 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMBTA44_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MMBTA55 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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