參數(shù)資料
型號: MMBTA42
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 69K
代理商: MMBTA42
2007-04-19
2
SMBTA42/MMBTA42
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
IC = 1 mA, IB = 0
V(BR)CEO 300
-
V
Collector-base breakdown voltage
IC = 100 A, IE = 0
V(BR)CBO 300
-
Emitter-base breakdown voltage
IE = 100 A, IC = 0
V(BR)EBO
6
-
Collector-base cutoff current
VCB = 200 V, IE = 0
VCB = 200 V, IE = 0 , TA = 150 °C
ICBO
-
0.1
20
A
Emitter-base cutoff current
VEB = 5 V, IC = 0
IEBO
-
100
nA
DC current gain1)
IC = 1 mA, VCE = 10 V
IC = 10 mA, VCE = 10 V
IC = 30 mA, VCE = 10 V
hFE
25
40
-
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
VCEsat
-
0.5
V
Base emitter saturation voltage1)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
VBEsat
-
0.9
AC Characteristics
Transition frequency
IC = 10 MHz, VCE = 20 V, f = 100 MHz
fT
50
70
-
MHz
Collector-base capacitance
VCB = 20 V, f = 1 MHz
Ccb
-
3
pF
1Pulse test: t < 300s; D < 2%
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