參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA28L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： MMBTA28L99Z
MPSA28
/
MMBTA28
/
PZTA28
NPN Darlington Transistor
(continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
20
50
100 150200
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-G
A
IN
BAN
DW
ID
T
H
P
R
O
D
UCT
(M
H
z)
V
= 5V
C
T
ce
Typical Characteristics (continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
B
ESA
T
25 °C
- 40 C
125 C
ββ = 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P03
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P03
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
(n
A)
A
CB
O
V
= 80V
CB
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
112.8
113
113.2
113.4
113.6
113.8
114
114.2
RESISTANCE (k )
BV
-
BRE
AKDO
W
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
R
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
2
5
10
15
20
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
NC
E
(p
F
)
C
f = 1.0 MHz
ce
ob
C ib
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