參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA13LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Amplifier Transistors
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 82K
代理商： MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1, MMBTA14LT1
http://onsemi.com
3
NOISE CHARACTERISTICS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C)
Figure 2. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
50
100
200
500
20
Figure 3. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 4. Total Wideband Noise Voltage
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k )
Figure 5. Wideband Noise Figure
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k )
5.0
50
70
100
200
30
10
20
1.0
10
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k
50k 100k
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈
0
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
e
i
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
I
C
= 10 A
100 A
1.0 mA
8.0
10
12
14
6.0
0
4.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10 A
100 A
I
C
= 1.0 mA
V
N
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k
50k 100k
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PDF描述
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MMBTA13-TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MMBTA14 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor
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