參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA06
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
VCE = 1 V, IC = 10 mA
VCE = 1 V, IC = 100 mA
hFE
100
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
fT
100 MHz
–
Thermal resistance junction – ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 420 K/W 1)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
MMBTA55, MMBTA56
Marking - Stempelung
MMBTA05 = 1H
MMBTA06 = 1GM
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150
100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06/E8 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA06_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_L98Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7-01-F 制造商:DIODES 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V / SOT-23 (LEAD FREE)
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