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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT9018L-J-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | MMBT9018L-J-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT9018
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-032.C
AM/FM AMPLIFIER, LOCAL
OSCILLATOR OF FM/VHF
TUNER
FEATURES
* High Current Gain Bandwidth Product
fT=1.1GHz (Typ)
SOT-23
1
2
3
1
2
3
SOT-523
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT9018-x-AE3-R
MMBT9018L-x-AE3-R MMBT9018G-x-AE3-R SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT9018-x-AN3-R MMBT9018L-x-AN3-R MMBT9018G-x-AN3-R SOT-523
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9018G-F-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018L-I-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018L-F-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-G-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018L-G-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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