- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95970 > MMBT9018-F-AE3-R (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBT9018-F-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | MMBT9018-F-AE3-R |
MMBT9018
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-032.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Static Characteristics
Collector-Emitter Voltage, VCE ( V)
Collector
Curr
ent,
I C
(mA)
02
4
6
8
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
13
5
7
9
IB=90A
IB=80A
IB=70A
IB=50A
IB=60A
IB=40A
IB=30A
IB=20A
IB=10A
DC Current Gain
Collector Current, IC (mA)
DC
Cu
rre
n
tGa
in,
h
FE
110
10
1000
VCE=5V
100
Sa
tu
ration
Vo
ltage
,
V
BE(
SAT)
,V
C
E
(SAT)
(V)
Ca
pa
cita
nce,
C
ob
(pF)
110
Current Gain Bandwidth Product
0.1
100
1000
Collector Current, IC (mA)
VCE=5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9018-G-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-I-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-E-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-F-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-H-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。