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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT9014G-B-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | MMBT9014G-B-AE3-R |
MMBT9014
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R206-022,D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Emitter Voltage
VCEO
45
V
Collector-Base Voltage
VCBO
50
V
Emitter Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
100
mA
Collector dissipation
PC
225
mW
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Emitter Voltage
VCEO
IC=100μA, IE=0
50
V
Collector-Base Voltage
VCBO
IC=1mA, IB=0
45
V
Emitter Base Voltage
VEBO
IE=100μA, IC=0
5
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB=50V, IE=0
50
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=5V, IC=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V,Ic=1mA
60
280
1000
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=5mA
0.14
0.3
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=100mA, IB=5mA
0.84
1.0
V
Base-emitter on voltage
VBE(ON)
VCE=5V, IC=2mA
0.58
0.63
0.7
V
Current-Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=10mA
150
270
MHz
Output Capacitance
COB
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
2.2
3.5
pF
Noise Figure
NF
VCE=5V, IC=0.2mA, f=1KHz,
RS=2KΩ
0.9
10
dB
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
A
B
C
D
RANGE
60-150
100-300
200-600
400-1000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9018-D-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-F-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-G-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-I-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-E-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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