參數(shù)資料
型號： MMBT6428LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-18, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： MMBT6428LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 0.01 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
hFE
250
500
250
500
250
500
250
500
—
—
650
1250
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 100 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
—
0.2
0.6
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
0.56
0.66
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
700
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
3.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
8.0
pF
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
MMBT6428LT1 Amplifier Transistors(NPN Silicon)
MMBTA70LT1 General Purpose Transistor
MMBTA70 PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MMBTA70LT1 General Purpose Transistor(PNP Silicon)
MMBTA70LT1 General Purpose Transistor(PNP Silicon)
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參數(shù)描述
MMBT6428LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6429LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6429LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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