參數(shù)資料
型號： MMBT6428LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 300K
代理商： MMBT6428LT1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
6428LT1
6429LT1
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
50
45
Vdc
Collector–Base Voltage
60
55
Vdc
Emitter–Base Voltage
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBT6428LT1 = 1KM; MMBT6429LT1 = 1L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MMBT6428
MMBT6429
V(BR)CEO
50
45
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
MMBT6428
MMBT6429
V(BR)CBO
60
55
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc)
ICES
—
0.1
μ
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
0.01
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
IEBO
—
0.01
μ
Adc
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.
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by MMBT6428LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6428 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MMBT6428LT1 Amplifier Transistors(NPN Silicon)
MMBT6428LT1 Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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MMBTA70 PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6428LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6429LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6429LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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