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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT6427LT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistor NPN Silicon |
| 中文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MMBT6427LT1G |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
February, 2006 Rev. 2
1
Publication Order Number:
MMBT6427LT1/D
MMBT6427LT1
Preferred Device
Darlington Transistor
NPN Silicon
Features
PbFree Package is Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
V
CEO
40
Vdc
CollectorBase Voltage
V
CBO
40
Vdc
EmitterBase Voltage
V
EBO
12
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR5 Board,
(Note 1) T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(Note 2) T
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. FR5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
http://onsemi.com
SOT23 (TO236)
CASE 318
STYLE 6
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMBT6427LT1
SOT23
3,000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
MMBT6427LT1G
SOT23
(PbFree)
3,000 / Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
1
2
3
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
1
1V M
1V = Device Code
M
= Date Code*
= PbFree Package
(Note: Microdot may be in either location)
MARKING DIAGRAM
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT1G | Amplifier Transistors NPN Silicon |
| MMBT6429LT1G | Amplifier Transistors NPN Silicon |
| MMBT6520LT1 | High Voltage Transistor(高壓晶體管) |
| MMBT6521LT1 | Amplifier Transistor NPN Silicon |
| MMBT6521LT1G | Amplifier Transistor NPN Silicon |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6427LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT6427LT3 | 功能描述:TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MMBT6427LT3G | 功能描述:TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MMBT6428 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6428 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
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