參數(shù)資料
型號： MMBT5550LT1
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： MMBT5550LT1
FEATURES
*
Power dissipation
PCM:
0.225 W(Tamb=25
OC)
Collector current
ICM:
0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 160 V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg:
MECHANICA DATA
*Case: Molded plastic
*Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
*Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
*Mounting position: Any
*Weight: 0.008 gram
SOT-23
Dimensions in inches and (millimeters)
2006-3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( At TA = 25
oC unless otherwise noted )
NOTES :
Max. Instantaneous Forward Voltage at IF= 10mA
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNITS
417
-
Volts
oC/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
RATINGS
Zener Current ( see Table "Characteristics" )
Max. Steady State Power Dissipation (1) @TA=25oC
Max. Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
-
PD
TJ
TSTG
R JA
VF
VALUE
MAX.
-
TYP.
-
MIN.
UNITS
-
mW
-
300
1.Alumina=0.4*0.3*0.024 in. 99.5% alumina.
-55 to +150
oC
MAXIMUM RA
TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
oC ambient temperature unless otherwise specified.
0.118(3.000)
0.012(0.30)
0.020(0.50)
0.003(0.080)
0.006(0.150)
0.110(2.800)
0.019(2.00)
0.071(1.80)
0.100(2.550)
0.089(2.250)
0.020(0.500)
0.012(0.300)
0.043(1.100)
0.035(0.900)
0.004(0.100)
0.000(0.000)
0.037(0.950)TYP
-55
OC to + 150OC
RECTRON
SEMICONDUCTOR
MMBT5550LT1
TECHNICAL SPECIFICATION
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS
TRANSISTOR(NPN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA42LT1
MMBZ27VCL-13 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MMBZ5223B 2.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMGGD1D0C SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1.78mm, PANEL MOUNT
MMGGF5P0L SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1A, 30VDC, 0.61mm, THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5550LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
MMBT5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
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