參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SO-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 343K
代理商： MMBT5401S62Z
2N5401
/
MMBT5401
Typical Characteristics (continued)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
V
- REVERSE BIAS VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E
(p
F
)
C
f = 1.0 MHz
R
C
cb
eb
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPERATURE ( C)
P
-
PO
W
E
R
DI
SSI
P
A
TIO
N
(
m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401LG 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401LT1 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401LT3 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401T/R7 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401T/R13 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT5401-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT5550 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
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