參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SO-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 343K
代理商： MMBT5401L99Z
2N5401
/
MMBT5401
Typical Characteristics
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P74
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
CT
OR-E
MITTER
VO
L
T
A
GE
(V)
CE
S
A
T
C
β = 10
125 C
- 40 C
25 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
-E
M
IT
T
ER
V
O
L
T
A
GE
(
V
)
B
ESA
T
C
β = 10
125 C
- 40 C
25 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EMI
T
E
R
ON
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BE
(O
N)
125 C
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TYPIC
A
L
PU
LSED
C
URREN
T
GAI
N
F
E
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
N
T
(n
A
)
A
V
= 100V
CB
CB
O
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
170
180
190
200
210
220
RESISTANCE (k )
B
V
-
B
R
EA
K
D
OW
N
VOL
T
A
GE
(
V
)
CE
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401S62Z 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401LG 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5401LT1 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401LT3 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401T/R7 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5401LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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