參數(shù)資料
型號： MMBT5401G-C-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： MMBT5401G-C-AE3-R
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-011.F
■
TYPICAL CHARACTERICS
Fig.2 DC Current Gain
Collector Current, Ic (mA)
DC
Cu
rrent
Ga
in
,h
FE
10
2
10
1
10
0
10
3
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
VCE=-5V
Fig.3 Base-Emitter on Voltage
Collector
Current,
Ic
(mA)
Base-Emitter Voltage, VBE (V)
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
VCE=-5V
Satura
ti
on
Vo
ltage
,
V
BE(SAT
)
V
C
E
(SAT)
(V)
Fig.4 Saturation Voltage
Fig.5 Current Gain-Bandwidth
Product
Fig.1 Collector Output Capacitance
VCE(SAT)
VBE(SAT)
Ic=10*IB
10
3
Cu
rren
tGain
-Ban
dwi
d
th
Prod
uct,
fT
(MHz)
10
0
10
1
10
2
VCE=-10V
Collector-Base Voltage, VCB (V)
Ca
pa
ci
ta
nce
,C
o
b
(pF
)
-10
0
4
8
12
f=1MHz
IE=0
-10
-1
-10
-2
-10
1
-10
2
16
20
-10
1
-10
2
-10
3
-10
0
Collector Current, Ic (mA)
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
Collector Current, Ic (mA)
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
-10
0
-10
1
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PDF描述
MMBT5401-A-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5401LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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