參數(shù)資料
型號： MMBT5089LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MMBT5089LT3
MMBT5088LT1 MMBT5089LT1
http://onsemi.com
629
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
NOISE VOLTAGE
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300 A
30 A
RS ≈ 0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS ≈ 0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300 A
100 A
10 A
RS ≈ 0
10
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500 A
100 A
10 A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
V T
,T
OT
AL
NOISE
VOL
TAGE
(nV)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300 A
100 A
30 A
10 A
10 20
50 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k
IC = 10 mA
300 A
100 A
30 A
3.0 mA
1.0 mA
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
Figure 7. Noise Figure
0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5179-HIGH VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT5179/L99Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPS5179/D27Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS5179/D75Z-J18Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5210_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*