參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5089L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 208K
代理商： MMBT5089L99Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
DC Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P0
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
ββ = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P0
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
-E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
P0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A
)
A
CB
O
V
= 45V
CB
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P07
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-T
Y
P
ICAL
P
U
L
S
E
D
CUR
RE
NT
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce=5V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5179-HIGH VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5089LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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